【求助 三星固态数据恢复】

各位大佬 手里一块笔记本原装固态翻车,死心前把测试数据和现状发上来,请教业内大佬。

基本参数:
型号:三星 PM991A 512GB(单 BGA 一体封装,Pablo 主控与 V-NAND 晶圆 SiP 堆叠)
加密状态:系统 BitLocker 已关闭,但存在主控内部硬件 AES 加密(密钥固化在主控 OTP 反熔丝区)

测试结果与证据(见附图):
外围供电:全板阻值正常,阻容元件无短路,供电输入正常。
通电热成像:上电无法握手,PC-3000 / MRT 均无法建立通信。红外热成像显示外围供电电路无异常温升(~33℃),热量集中锁定在 BGA 芯片右上方(Pablo 主控 die 区域),单点瞬时剧烈发热(局部 60℃~70℃)。

现状判定:确认为主控晶圆内部 PN 结短路击穿 / 局部闩锁,不是虚焊,也不是外围元器件故障。

已推演死局点:

  1. 无法 Chip-off 单独拆闪存,主控与颗粒一体合封;
  2. 无法绕过主控读取,硬件 AES 密钥强绑定主控 die,发热热点就在主控区域,OTP 密钥区极大概率已经被大电流、高温波及损坏;
  3. 半导体失效分析方案(OBIRCH/FIB)成本数万,并且全球没有公开的成功恢复案例。

现在已经停止上电,放入防静电袋密封保存。发帖想请教接触过 SiP 封装、晶圆取证的前辈:
近年行业里,有没有 Pablo 主控这类单 BGA 封装主控击穿后,无损解密、FIB 提取密钥成功的先例?
这种状态下,还有没有遗漏的低损伤检测方案?

感谢各位,附上盘外观标记图与热成像实测图。


据我所知,行业内没有这种修复成功的案例,实验室的研究案例也没听说过类似的。大家遇到这种情况就直接略过了。

OKOK谢谢大佬我问了gpt和Gemini也这样说